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              晶湛半導體

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              產品中心

              質量體系

              GaN‐on‐SiC?for?RF

              尺寸2"/3"/4"/6"

               

              主要特點:

              極低的緩沖區漏電流

              良好的均勻性和重復性

              高電子遷移率

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